Intel 院士喷台积电三星 10nm 名不符实

2017年04月02日 20:33   硬件知识   Intel  

制造工艺领域 Intel 总是第一个推出最新工艺,无论 32nm 、22nm 、14nm 都是 Intel 领先,台积电和三星一路狂奔才能追上,然而 Intel  14nm 制造工艺连战数年,以至于 10nm 工艺被台积电和三星抢先,对此 Intel 有话要说 。

Intel制造工艺

高通骁龙835 、三星Exynos 8895 、Helio X30 、麒麟960 都将是首批 10nm 芯片产品。

Intel 今年也难以量产 10nm工艺,其第八代酷睿CPU 依然还是 14nm 制造工艺,然后台积电和三星却首发 10nm之后,还称将在今年试产 7nm 、5nm 工艺,这么看来 Intel“牙膏厂”的名号摆脱不掉了。

对此,Intel 表示不服

Intel 日前发了一条很有意思的文章:《让我们清理半导体工艺命名的混乱吧》文章的作者是 Mark Bohr (Intel 高级院士,CPU架构与集成部门主管)。

晶体管工艺公式

Mark Bohr 给出了一个“正确”计算晶体管工艺的公式:

晶体管工艺计算方式

这个公式挺复杂的,它分为两部分一部分计算 2bit NAND(4个晶体管)的密度,另一部分更为复杂计算的是 SFF(scan flip flop)的晶体管密度, 0.6和0.4两个数字是这两部分的加权系数。咱们也不是什么专业人士所以就直接放出结论吧。

Intel 的意思是台积电和三星都在耍花招,台积电16nm 和三星14nm 远远不如 Intel 14nm 工艺,这两家的 10nm 工艺名不副实,落后 Intel 差不多半代水平。

晶体管芯片

 Intel 22nm 时代就引入了3D晶体管(也就是FinFET工艺),而台积电和三星却在 16nm/14nm 才引入。

台积电和三星 10nm工艺现在已经量产,至少已经追平了 Intel 14nm工艺可能还有些小幅领先。AMD 锐龙 Ryzen 已经迎头赶上,半导体制造工艺也被其他厂商反超,与其多解释还是赶推出真正 10nm 工艺才是正理。

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